闪迪宣布出样第10代BiCS10 1Tb TLC 3D NAND闪存 层数飙升至332层

闪迪（SanDisk）于今日正式宣布，已开始向客户交付其第10代3D NAND闪存技术产品——BiCS10 1Tb（Terabit，即128GB）TLC闪存芯片的测试样品。这款全新芯片在存储密度、传输速度以及功耗效率上均实现了质的飞跃，旨在全面满足现代计算对大规模、高效率存储的紧迫需求。

根据闪迪官方披露的技术细节，BiCS10芯片通过将闪存堆叠层数大幅提升至332层，并结合先进的横向微缩（Lateral Scaling）技术，成功实现了超过29Gb/mm²的业界领先TLC存储密度。与目前市场上作为主力大规模量产的第8代（BiCS8）3D闪存相比，新型BiCS10的位密度（Bit Density）足足提升了59%。在性能方面，得益于Toggle DDR 6.0接口总线、SCA协议以及PI-LTT技术的全面引入，BiCS10的接口传输速率飙升至惊人的4.8 Gb/s，较前代产品实现了33%的性能飞跃。

除了性能与密度的双重突破，BiCS10在能效方面的表现同样亮眼。该芯片继续沿用了闪迪久经市场考验的CBA（CMOS directly Bonded to Array，CMOS直接键合至晶圆阵列）架构技术。这种尖端工艺通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与闪存记忆阵列，随后利用高精度的晶圆对齐技术将二者键合在一起，从而最大化地释放电气性能。在这一技术的加持下，BiCS10 TLC芯片的数据输入与输出能效得到了显著优化，相比BiCS8世代，其输入功耗降低了10%，输出功耗更是大幅骤降了34%，这对于渴望降低运营成本与散热压力的现代数据中心及企业级基础设施而言至关重要。

闪迪首席技术官阿普尔·伊尔克巴哈尔（Alper Ilkbahar）在发布会上面对行业媒体表示，随着当今世界连接日益紧密、数据高度密集且智能化程度不断加深，NAND闪存技术在支撑现代算力规模方面正扮演着愈发关键的基石角色。他强调，早前的BiCS8通过将晶圆键合能力与密度、能效的实际增益相结合，已经为行业树立了全新的标杆；而如今的BiCS10 TLC则在此坚实的基础之上，进一步为客户带来了更快的接口速率、更高的位密度以及更卓越的功耗表现，这清晰地展示了闪迪在3D闪存长期技术路线图上的创新实力。

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