长鑫存储DRAM产能激增 今年有望比肩美光科技

中国内存制造企业长鑫存储（CXMT）近期产能扩张速度惊人，据分析机构Citrini Research的最新数据显示，该公司正迅速成长为全球内存市场的有力竞争者，其制造规模已达到足以与行业巨头美光（Micron）相抗衡的水平。

根据预测，如果目前的所有扩产项目均能按计划如期完成，预计到2026年年底，长鑫存储的DRAM晶圆月产量将达到约35万片。相比之下，作为全球三大DRAM制造商之一，美光科技在完成预期的产能扩张后，预计同期的月产量约为37.5万片。对于一家近年来为满足中国国内需求而崛起的新兴企业而言，能够达到这一规模实属罕见。

此次分析还揭示了一个行业内令人瞩目的现象：长鑫存储建设洁净室的速度远超行业平均水平，其建设周期仅需约12个月，而全球其他主要的DRAM制造企业通常需要21至24个月。

尽管面临美国政府的制裁与限制，导致其无法获得先进的极紫外（EUV）光刻设备，长鑫存储依然通过深紫外（DUV）光刻技术与多重曝光工艺的组合实现了技术突围。目前，长鑫存储已成功开始出货基于G4节点的16 Gb DDR5芯片，其运行速率可达8000 MT/s，且芯片面积较上一代产品缩减了20%。此外，该公司目前已实现24 Gb模块以及LPDDR5X-10667等高端产品的量产。

据悉，当前长鑫存储的大部分产能主要受到人工智能（AI）领域高涨的市场需求驱动。同时，中国政府也正积极鼓励长鑫存储将其DRAM技术知识产权向包括JHICC、Swaysure以及扬杰科技旗下XMC在内的其他国内厂商转移，此举意在缓解国内市场内存供应紧张的局面，并为长鑫存储自主设计的DRAM产品进入欧盟乃至美国等全球市场进行铺垫。

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